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    [導讀]2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產品,性能達到行業領先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨特的柵極負壓開啟機制,使其成為高端開關的理想選擇。P 溝道MOSFET特性的優勢在于可簡化柵極驅動技術,降低應用的設計復雜度,從而降低整體成本。

    2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產品,性能達到行業領先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨特的柵極負壓開啟機制,使其成為高端開關的理想選擇。P 溝道MOSFET特性的優勢在于可簡化柵極驅動技術,降低應用的設計復雜度,從而降低整體成本。樂瓦微-60V P溝道MOSFET提供超低的導通電阻(RDS(on)),在 VGS=-10V 條件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低達5.5mΩ,廣泛應用于電池保護、反極性保護、負載開關、電機控制及低壓驅動等應用中。樂瓦微-60V P溝道MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-263、TO-252、DFN5*6、PDFN3.3*3.3、SOP-8等多種封裝形式,為設計人員優化系統提供最優的解決方案。-60V P-ch SGT MOSFET 產品組合
    LW Product Name Package VDSS (V) ID (A) Vth(V) Rdson(mΩ) @VGS10V Rdson(mΩ) @VGS4.5V Ciss(pF) Qg(nC)
    Typ Typ Typ
    LWS6080AS SOP-8 -60 -8 -1.65 65
    530 8.5
    LWS6080A4 TO-252 -60 -16 -1.65 65
    530 8.5
    LWS6060A4 TO-252 -60 -25 -1.8 45


    LWS6060AS SOP8 -60 -9 -1.8 45


    LWS6028A8 TO-220AB -60 -40 -1.8 20 25 1500 22
    LWS6028A4 TO-252 -60 -45 -1.8 20 25 1500 22
    LWS6028AS SOP8 -60 -11 -1.8 20 25 1500 22
    LWS6016A4 TO-252 -60 60 -1.8 12 16

    LWS6010H4 TO-252 -60 -80 -3 9
    3950 62
    LWS6010A4 TO-252 -60 -80 -1.8 9 12 3950 62
    LWS6010AD5 PDFN5*6-8L -60 -60 -1.8 9 12 3950 62
    LWS6008A5 TO-263 -60 -100 -2 5.5
    5550 85
    樂瓦微簡介
    上海樂瓦微電子科技有限公司總部位于上海,在深圳和無錫設有分公司,是一家集MOS、LDO、MCU研發、設計與銷售的先進半導體設計公司,也是上海市高新技術企業,主要產品門類:高壓VDMOS(900~1500V系列)、中低壓溝槽MOS(20V~250V NMOS;-20V~-40V PMOS)、中低壓SGT-MOS(-100V~150V)以及LDO(高PSRR、低Iq、高輸入電壓以及大輸出電流四大系列)、MCU系列產品。樂瓦微依托國內外一線先進的晶圓生產平臺。以及長電、捷敏以及杰群等優秀的產品封測平臺,不斷推陳出新,開發出一系列應用于工業控制、醫療、PC/服務器、消費電子、通訊電源、以及IOT等應用領域的高可靠性產品,同時堅定不移地持續提升技術創新,以卓越的性能和穩定的品質服務全球客戶。來源:樂瓦微
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