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    • 意法半導體與艾睿電子在亞太區開展工業應用創新研發合作

      服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics)與全球技術解決方案供應商艾睿電子(Arrow Electronics)合作,在亞太區新設立的創新實驗室共同開展技術研發活動,為下一代工業應用發展鋪平道路。

    • TCPP01-M12,保護USBType-C不受損害,幫助工程師符合歐盟新法規要求

      TCPP01-M12 保護處于受電(充電)模式的 USB Type-CTM端口抵御 VBUS 上最高24 V(CC線路上最高6V)的過電壓,以及抵御連接器引腳上的靜電放電。TCPP 是 Typc-c 接口保護的簡稱,而TCPP01-M12則為單一產品,其可以作為 STM32 MCU 的配套芯片使用,并采用內置 USB-C Power Delivery(UCPD)。因此,將STM32G0、STM32G4、STM32L5 或 STM32U5 與 TCPP01-M12 組合使用,比使用一堆外部設備要劃算得多。端口無連接時的零靜態電流使 TCPP01-M12 與眾不同。

    • TCPP03-M20:雙重功能電源USB-C端口終于在新應用中實現

      TCPP03-M20 是意法半導體面向雙重功能電源(DRP)應用推出的首款 USB-C 端口保護裝置,它將服務于作為供電方(源端)或受電方(吸端)的系統。簡而言之,該組件結合了意法半導體博文所述的TCPP01-M12(受電方)和 TCPP02-M18(供電方)。例如,它包括各自的柵極驅動器,以防止 VBUS 上的過壓和過流。同樣,TCPP03-M20嵌入與 TCPP02-M18 相同的電流傳感元件,并在 VBUS 和 VCONN 上嵌入相同的放電路徑。另一方面,它也包括功耗狀態,以幫助工程師優化那些需要雙重功能電源保護的應用。

    • TCPP02-M18,為尚未設計的產品創建快速而強大的USB-C充電器

      TCPP02-M18保護供電模式下的USB Type-C端口,防止VBUS引腳上的過電流和通信通道(CC線路)上的過電壓(最高24 V)。它是運行在STM32 MCU上的USB-C平臺的配套芯片,包括微控制器可訪問的電流檢測機制,以實現更出色的應用控制。

    • 作為意法半導體首款氮化鎵準諧振反激式轉換器,VIPERGAN50可完美搭配令人印象深刻的下一代 50 W 電源

      VIPERGAN50 是 VIperPlus 系列首款可在寬工作電壓(9 V 至 23 V)下提供高達 50 W功率的產品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的 VIPer 器件。得益于 650 V GaN器件,VIPERGAN50 在自適應間歇工作模式 (burst mode) 開啟的情況下,待機功耗低于30 mW。

    • 科學家如何在納米及人類可觀測范圍下發現 4H-SiC 和缺陷之間新關系

      如何才能贏得 IRPS(IEEE 國際可靠性實體研討會)2021 年度最佳論文獎?每年有成千上萬的科學論文刊登在電氣和電子工程領域專門出版物上。然而,是什么使其中一篇論文值得稱贊呢?為什么一篇關于 MOSFET 擊穿和 4H-SiC 外延缺陷之間相關性的論文脫穎而出?今年,該論文甚至還將獲得認可。

    • CLT03-1SC3與CLT03-2Q3:如何打造更小的數字輸入模塊

       公司經常會忽視工業應用小型化、密集化的趨勢。隨著消費者產品的功能日益豐富,工業控制系統自然也不能例外。因此,意法半導體推出了CLT03-1SC3和CLT03-2Q3。這兩款用于數字輸入的限流器可大大減少散熱。它們也兼容低電壓輸出等不需要光電耦合器的應用,期間無需使用額外的組件,即可輕松構建更具成本效益的工廠自動化解決方案。

    • 首款采用微型 SMB Flat 封裝的 1,500 W TVS二極管 SMB15F已經通過認證

      新推出的 SMB15F 系列 1,500 W 瞬態電壓抑制二極管(采用 SMB Flat 封裝)已經通過認證。與 SMC 封裝相比,SMB Flat 封裝的體積減少了 50%。除了空間方面的改進,價格更有優勢,為企業節約了預算。此外,更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事實上,SMB15F 系列的泄漏電流比競爭產品大約低五倍。因此,這些 1500 W 器件已經在 5G 設備和其他應用中進行了評估。

    • VIPer26K,堅固耐用的1,050 V MOSFET,靈活的智能 PWM控制器

      借著最近全世界慶祝地球日之際,我們想談談我們的一款器件,它有助于更好地管理人們每天消耗的電力,它就是我們重點關注的 VIPe26K。該高壓轉換器面向低于 12 W 的電源,其與眾不同之處在于配有擊穿電壓(BV)可達 1050 V 的 MOSFET。因此,與擊穿電壓為 700 V-BV 甚至 800 V-BV 的傳統競爭型號相比,該器件能夠承受更大范圍的輸入電壓。VIPer26K 是同類器件中唯一采用具有如此高擊穿電壓的 MOSFET 的產品,這使其非常適合智能電表等應用,這些應用通常只消耗很少的功率,但必須面對特別寬的輸入電壓范圍。

    • 全新 MASTERGAN1,讓 GaN 晶體管更具說服力和直觀性

      前不久意法半導體發布了全新 MASTERGAN1 產品,它同時集成了半橋驅動器和兩個增強模式氮化鎵(GaN)晶體管, 類似的競爭產品僅僅只包含單個氮化鎵晶體管,這使得 ST 的 MASTERGAN1 在半橋拓撲應用中優勢明顯。例如,常見的 AC-DC 系統中 LLC 諧振轉換器,有源鉗位反激或正激,圖騰柱 PFC 等等。

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